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RN1609(TE85L,F)

RN1609(TE85L,F)

僅供參考

型號 RN1609(TE85L,F)
PNEDA編號 RN1609-TE85L-F
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 29 - 四月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1609(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1609(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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RN1609(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SM6

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電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

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