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RN1907FE,LF(CT

RN1907FE,LF(CT

僅供參考

型號 RN1907FE,LF(CT
PNEDA編號 RN1907FE-LF-CT
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1907FE資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1907FE,LF(CT
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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RN1907FE規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大100mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝ES6

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

230mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

100mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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50V

電阻-基本(R1)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V / 150 @ 2mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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