RN1909FE(TE85L,F)
僅供參考
| 型號 | RN1909FE(TE85L,F) |
| PNEDA編號 | RN1909FE-TE85L-F |
| 描述 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 6,822 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸) |
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RN1909FE(TE85L資源
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | RN1909FE(TE85L,F) |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 |
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RN1909FE(TE85L規格
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列 | - |
| 晶體管類型 | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 100mA |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 50V |
| 電阻-基本（R1） | 47kOhms |
| 電阻-發射極基（R2） | 22kOhms |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| 當前-集電極截止（最大值） | 100nA (ICBO) |
| 頻率-過渡 | 250MHz |
| 功率-最大 | 100mW |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | SOT-563, SOT-666 |
| 供應商設備包裝 | ES6 |
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