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RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

僅供參考

型號 RN2107MFV,L3F
PNEDA編號 RN2107MFV-L3F
描述 TRANS PREBIAS NPN
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN2107MFV資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN2107MFV,L3F
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN2107MFV規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝VESM

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

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68 @ 5mA, 5V

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