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RN2406,LF

RN2406,LF

僅供參考

型號 RN2406,LF
PNEDA編號 RN2406-LF
描述 TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR4.7KOHM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN2406資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN2406,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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RN2406規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)-
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡-
功率-最大-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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10 kOhms

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4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

24 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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