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RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

僅供參考

型號 RN2702TE85LF
PNEDA編號 RN2702TE85LF
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN2702TE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN2702TE85LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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RN2702TE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝USV

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

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50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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