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RQ5C060BCTCL

RQ5C060BCTCL

僅供參考

型號 RQ5C060BCTCL
PNEDA編號 RQ5C060BCTCL
描述 MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 46,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RQ5C060BCTCL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RQ5C060BCTCL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RQ5C060BCTCL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19.2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1360pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSMT3
包裝/箱SC-96

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

873pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1167pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

660mW (Ta)

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