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RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

僅供參考

型號 RQ6P015SPTR
PNEDA編號 RQ6P015SPTR
描述 MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 213,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RQ6P015SPTR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RQ6P015SPTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RQ6P015SPTR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs470mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs322nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds950pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)600mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSMT6 (SC-95)
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Ta), 41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3468pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 90W (Tc)

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360W (Tc)

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3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 15V

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功耗(最大值)

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