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RQA0009TXDQS#H1

RQA0009TXDQS#H1

僅供參考

型號 RQA0009TXDQS#H1
PNEDA編號 RQA0009TXDQS-H1
描述 MOSFET N-CH UPAK
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RQA0009TXDQS#H1資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RQA0009TXDQS#H1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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  • RQA0009TXDQS#H1 Distributor

RQA0009TXDQS#H1規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)16V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)15W (Tc)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝UPAK
包裝/箱TO-243AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1137pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60.4W (Tc)

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安裝類型

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 7.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

720mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

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