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RRH140P03TB1

RRH140P03TB1

僅供參考

型號 RRH140P03TB1
PNEDA編號 RRH140P03TB1
描述 MOSFET P-CH 30V 14A SOP8
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,446
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RRH140P03TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RRH140P03TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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RRH140P03TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs80nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8000pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)650mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1175pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 25A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

400mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1683pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 106A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3010pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 277W (Tc)

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

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FET功能

-

功耗(最大值)

-

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