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RS1BL MTG

RS1BL MTG

僅供參考

型號 RS1BL MTG
PNEDA編號 RS1BL-MTG
描述 DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 30 - 二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1BL MTG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1BL MTG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS1BL MTG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)800mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 800mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.85V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

70ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 600V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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