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RS1DHE3/61T

RS1DHE3/61T

僅供參考

型號 RS1DHE3/61T
PNEDA編號 RS1DHE3-61T
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1DHE3/61T資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1DHE3/61T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
RS1DHE3/61T, RS1DHE3/61T數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.23 KB)
PDFRS1KHE3/61T數據表 封面
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RS1DHE3/61T規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

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電流-平均整流(Io)

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1V @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

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當前-反向泄漏@ Vr

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