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RS1DL RTG

RS1DL RTG

僅供參考

型號 RS1DL RTG
PNEDA編號 RS1DL-RTG
描述 DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1DL RTG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1DL RTG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS1DL RTG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)800mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 800mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214BA

供應商設備包裝

DO-214BA

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

US1M R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

P600, Axial

供應商設備包裝

P600

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 30V

電容@ Vr,F

375pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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