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RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

僅供參考

型號 RS1E240BNTB
PNEDA編號 RS1E240BNTB
描述 MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1E240BNTB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1E240BNTB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RS1E240BNTB, RS1E240BNTB數據表 (總頁數: 11, 大小: 2,681.12 KB)
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RS1E240BNTB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.2mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3900pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-HSOP
包裝/箱8-PowerTDFN

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

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安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 24.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.24mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4340pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

137nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

625W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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