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RS1JLHR3G

RS1JLHR3G

僅供參考

型號 RS1JLHR3G
PNEDA編號 RS1JLHR3G
描述 DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS1JLHR3G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS1JLHR3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS1JLHR3G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)800mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 800mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)250ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1.5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10.4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

1N3289A

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制造商

Powerex Inc.

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

100A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

24mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1500V

電流-平均整流(Io)

6A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 6.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.22V @ 942A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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