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RS2D M4G

RS2D M4G

僅供參考

型號 RS2D M4G
PNEDA編號 RS2D-M4G
描述 DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS2D M4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS2D M4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS2D M4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F50pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

800A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.65V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

DO-200AB, B-PUK

供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

工作溫度-結點

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.04V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

SMB

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

600mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 600mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

350ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 300V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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