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RS2M R5G

RS2M R5G

僅供參考

型號 RS2M R5G
PNEDA編號 RS2M-R5G
描述 DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RS2M R5G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RS2M R5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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RS2M R5G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F50pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AA, SMB
供應商設備包裝DO-214AA (SMB)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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800V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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600V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

27µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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