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RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

僅供參考

型號 RU1C002ZPTCL
PNEDA編號 RU1C002ZPTCL
描述 MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 58,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RU1C002ZPTCL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RU1C002ZPTCL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RU1C002ZPTCL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.4nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds115pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝UMT3F
包裝/箱SC-85

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2385pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.76A (Ta), 89.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1925pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

107mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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