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RUF020N02TL

RUF020N02TL

僅供參考

型號 RUF020N02TL
PNEDA編號 RUF020N02TL
描述 MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 95,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RUF020N02TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RUF020N02TL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RUF020N02TL, RUF020N02TL數據表 (總頁數: 14, 大小: 3,168.98 KB)
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RUF020N02TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds180pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)320mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TUMT3
包裝/箱3-SMD, Flat Leads

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1990pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.8mOhm @ 63A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5320pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

380W (Tc)

工作溫度

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1470pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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