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RUM002N05T2L

RUM002N05T2L

僅供參考

型號 RUM002N05T2L
PNEDA編號 RUM002N05T2L
描述 MOSFET N-CH 50V 0.2A 3VMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 204,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RUM002N05T2L資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RUM002N05T2L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RUM002N05T2L規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds25pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)150mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝VMT3
包裝/箱SOT-723

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

132pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

310mW (Ta), 2.09W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 360mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1587pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

178W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.9mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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