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RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

僅供參考

型號 RW1C025ZPT2CR
PNEDA編號 RW1C025ZPT2CR
描述 MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RW1C025ZPT2CR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RW1C025ZPT2CR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RW1C025ZPT2CR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1300pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-WEMT
包裝/箱SOT-563, SOT-666

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 530µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 370µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1090pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 860µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2930pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

272W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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