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RXR035N03TCL

RXR035N03TCL

僅供參考

型號 RXR035N03TCL
PNEDA編號 RXR035N03TCL
描述 MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RXR035N03TCL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RXR035N03TCL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
RXR035N03TCL, RXR035N03TCL數據表 (總頁數: 14, 大小: 2,207.17 KB)
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RXR035N03TCL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.3nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds180pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TSMT3
包裝/箱SC-96

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P-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

430pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1230pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

305nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9835pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

710pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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