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RYC002N05T316

RYC002N05T316

僅供參考

型號 RYC002N05T316
PNEDA編號 RYC002N05T316
描述 MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 141,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RYC002N05T316資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RYC002N05T316
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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RYC002N05T316規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds26pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)350mW (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SST3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

156nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±9V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

950mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

90pF @ 100V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 7W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

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150°C (TJ)

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