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S10CM-M3/I

S10CM-M3/I

僅供參考

型號 S10CM-M3/I
PNEDA編號 S10CM-M3-I
描述 DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S10CM-M3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S10CM-M3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S10CM-M3/I, S10CM-M3/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 91.81 KB)
PDFS10CKHM3/I數據表 封面
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S10CM-M3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 10A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)5µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1000V
電容@ Vr,F79pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

60A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-203AB (DO-5)

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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Powerex Inc.

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

125A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

700ns

當前-反向泄漏@ Vr

45mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-205AA, DO-8, Stud

供應商設備包裝

DO-205AA (DO-8)

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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