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S16-4150E3/TR7

S16-4150E3/TR7

僅供參考

型號 S16-4150E3/TR7
PNEDA編號 S16-4150E3-TR7
描述 DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S16-4150E3/TR7資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S16-4150E3/TR7
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
S16-4150E3/TR7, S16-4150E3/TR7數據表 (總頁數: 1, 大小: 70.17 KB)
PDFS16-4150/TR7數據表 封面

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S16-4150E3/TR7規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管配置8 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)400mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 50V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝16-SOIC

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 200V

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 50A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

575mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

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