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S16BR

S16BR

僅供參考

型號 S16BR
PNEDA編號 S16BR
描述 DIODE GEN PURP 100V 16A DO220AA
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S16BR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S16BR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S16BR, S16BR數據表 (總頁數: 3, 大小: 771.89 KB)
PDFS16JR數據表 封面
S16JR數據表 頁面 2 S16JR數據表 頁面 3

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S16BR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)16A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 16A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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800V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

120ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

8.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-220AA

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

930mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 150V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 180A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 45V

電容@ Vr,F

7500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 80V

電容@ Vr,F

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