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S1BL RTG

S1BL RTG

僅供參考

型號 S1BL RTG
PNEDA編號 S1BL-RTG
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,194
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1BL RTG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1BL RTG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1BL RTG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F9pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 600V

電容@ Vr,F

280pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 35V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 6500V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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