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S1FLK-M-08

S1FLK-M-08

僅供參考

型號 S1FLK-M-08
PNEDA編號 S1FLK-M-08
描述 DIODE GP 800V 700MA DO219AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 28,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1FLK-M-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1FLK-M-08
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1FLK-M-08, S1FLK-M-08數據表 (總頁數: 7, 大小: 115.06 KB)
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S1FLK-M-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)700mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F4pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 30A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

1790pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-2

供應商設備包裝

TO-247-2

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Opto Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.26V @ 38A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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