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S1G-E3/1

S1G-E3/1

僅供參考

型號 S1G-E3/1
PNEDA編號 S1G-E3-1
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1G-E3/1資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1G-E3/1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1G-E3/1, S1G-E3/1數據表 (總頁數: 4, 大小: 78.23 KB)
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S1G-E3/1規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 400V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

50A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 15A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 1200V

電容@ Vr,F

952pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220-2

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1600A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.64V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Clamp On

包裝/箱

DO-200AB, B-PUK

供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

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-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

320A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 750A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 800V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

10.8µA @ 650V

電容@ Vr,F

110pF @ 1V, 1MHz

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