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S1G-E3/5AT

S1G-E3/5AT

僅供參考

型號 S1G-E3/5AT
PNEDA編號 S1G-E3-5AT
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 229,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1G-E3/5AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1G-E3/5AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1G-E3/5AT, S1G-E3/5AT數據表 (總頁數: 4, 大小: 80.09 KB)
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S1G-E3/5AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 400V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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1.95V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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27µA @ 600V

電容@ Vr,F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

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