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S1J R3G

S1J R3G

僅供參考

型號 S1J R3G
PNEDA編號 S1J-R3G
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 111,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1J R3G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1J R3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1J R3G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 5A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

270pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

175°C (Max)

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

125V

電流-平均整流(Io)

300mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 125V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

D, Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

UGS5JHMNG

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

70V

電流-平均整流(Io)

70mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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