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S1JHE3_A/I

S1JHE3_A/I

僅供參考

型號 S1JHE3_A/I
PNEDA編號 S1JHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 126,222
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1JHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1JHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1JHE3_A/I, S1JHE3_A/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 80.09 KB)
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S1JHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

0.47V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

530pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

65A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.42V @ 65A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

480ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 266.9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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