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S1JR2

S1JR2

僅供參考

型號 S1JR2
PNEDA編號 S1JR2
描述 1A, 600V, GLASS PASSIVATED SMD R
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1JR2資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1JR2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1JR2規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

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DO-203AB

工作溫度-結點

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二極管類型

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800V

電流-平均整流(Io)

40A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

10ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 80V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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