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S1K-E3/5AT

S1K-E3/5AT

僅供參考

型號 S1K-E3/5AT
PNEDA編號 S1K-E3-5AT
描述 DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1K-E3/5AT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1K-E3/5AT
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1K-E3/5AT, S1K-E3/5AT數據表 (總頁數: 4, 大小: 80.09 KB)
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S1K-E3/5AT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

29V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 29V

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

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Powerex Inc.

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.25V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 600V

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