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S1KHR3G

S1KHR3G

僅供參考

型號 S1KHR3G
PNEDA編號 S1KHR3G
描述 DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1KHR3G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1KHR3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1KHR3G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 800V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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1200V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-2

供應商設備包裝

TO-247

工作溫度-結點

-

ES1CHR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

16pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

BYC5DX-500,127

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

16ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

Schottky, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

80A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2000V

電流-平均整流(Io)

255A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 2000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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