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S1M-26R2G

S1M-26R2G

僅供參考

型號 S1M-26R2G
PNEDA編號 S1M-26R2G
描述 GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1M-26R2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1M-26R2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1M-26R2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 1000V
電容@ Vr,F12pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

700mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

750µA @ 100V

電容@ Vr,F

1000pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-262AA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 90V

電容@ Vr,F

140pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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