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S1MLHRVG

S1MLHRVG

僅供參考

型號 S1MLHRVG
PNEDA編號 S1MLHRVG
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 56,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1MLHRVG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1MLHRVG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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S1MLHRVG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F9pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 12V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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