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S1PJ-M3/85A

S1PJ-M3/85A

僅供參考

型號 S1PJ-M3/85A
PNEDA編號 S1PJ-M3-85A
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S1PJ-M3/85A資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S1PJ-M3/85A
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
S1PJ-M3/85A, S1PJ-M3/85A數據表 (總頁數: 5, 大小: 102.02 KB)
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S1PJ-M3/85A規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列eSMP®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.8µs
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 600V
電容@ Vr,F6pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-222AA

供應商設備包裝

STmite Flat

工作溫度-結點

150°C (Max)

BYW75TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SOD-64, Axial

供應商設備包裝

SOD-64

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 942A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

7500V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

9.2V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 7500V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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