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S2000AF

S2000AF

僅供參考

型號 S2000AF
PNEDA編號 S2000AF
描述 TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S2000AF資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S2000AF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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S2000AF規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)700V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic5V @ 1A, 4.5A
當前-集電極截止(最大值)200µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce4.5 @ 4.5A, 5V
功率-最大50W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱ISOWATT218FX
供應商設備包裝ISOWATT-218FX

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

250mW

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工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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