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S25FL128P0XNFI001M

S25FL128P0XNFI001M

僅供參考

型號 S25FL128P0XNFI001M
PNEDA編號 S25FL128P0XNFI001M
描述 IC MEMORY FLASH NOR
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S25FL128P0XNFI001M資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S25FL128P0XNFI001M
類別半導體內存IC內存
數據表
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PDFS25FL128P0XNFI011M數據表 封面
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S25FL128P0XNFI001M規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列FL-P
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率104MHz
寫周期-字,頁3µs
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-WSON (6x8)

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

48-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - UV

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

100ns

電壓-供電

3.14V ~ 3.47V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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