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S25FL512SAGBHBC13

S25FL512SAGBHBC13

僅供參考

型號 S25FL512SAGBHBC13
PNEDA編號 S25FL512SAGBHBC13
描述 IC 512 MB FLASH MEMORY
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,524
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S25FL512SAGBHBC13資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S25FL512SAGBHBC13
類別半導體內存IC內存

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S25FL512SAGBHBC13規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列Automotive, AEC-Q100, FL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-BGA (8x6)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

208MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.0ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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