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S25FL512SAGBHVB10

S25FL512SAGBHVB10

僅供參考

型號 S25FL512SAGBHVB10
PNEDA編號 S25FL512SAGBHVB10
描述 IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 10,440
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 31 - 二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S25FL512SAGBHVB10資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S25FL512SAGBHVB10
類別半導體內存IC內存

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S25FL512SAGBHVB10規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列FL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口SPI - Quad I/O
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-TBGA
供應商設備包裝24-BGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

3V ~ 3.63V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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