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S26KS128SDABHB030

S26KS128SDABHB030

僅供參考

型號 S26KS128SDABHB030
PNEDA編號 S26KS128SDABHB030
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 24FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 9,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S26KS128SDABHB030資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S26KS128SDABHB030
類別半導體內存IC內存

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S26KS128SDABHB030規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間96ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-VBGA
供應商設備包裝24-FBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

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