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S27KL0641DABHA020

S27KL0641DABHA020

僅供參考

型號 S27KL0641DABHA020
PNEDA編號 S27KL0641DABHA020
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,828
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S27KL0641DABHA020資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S27KL0641DABHA020
類別半導體內存IC內存

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S27KL0641DABHA020規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小64Mb (8M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間40ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-VBGA
供應商設備包裝24-FBGA (6x8)

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內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

500ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

3500ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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