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S29AS016J70BFI043

S29AS016J70BFI043

僅供參考

型號 S29AS016J70BFI043
PNEDA編號 S29AS016J70BFI043
描述 IC FLASH 16M PARALLEL 48FBGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 30,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29AS016J70BFI043資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29AS016J70BFI043
類別半導體內存IC內存

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S29AS016J70BFI043規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列AS-J
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小16Mb (2M x 8, 1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.65V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-VFBGA
供應商設備包裝48-FBGA (8.15x6.15)

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內存接口

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時鐘頻率

-

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訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

28-CDIP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

Automotive, AEC-Q100, GL-S

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

64-LBGA

供應商設備包裝

64-FBGA (9x9)

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