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S29GL01GS10FHI013

S29GL01GS10FHI013

僅供參考

型號 S29GL01GS10FHI013
PNEDA編號 S29GL01GS10FHI013
描述 IC FLASH 1G PARALLEL 64BGA
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL01GS10FHI013資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL01GS10FHI013
類別半導體內存IC內存

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S29GL01GS10FHI013規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間100ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (13x11)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

55ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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技術

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內存大小

4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.8V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH, RAM

技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

153-VFBGA

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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