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S29GL01GT10FHI030

S29GL01GT10FHI030

僅供參考

型號 S29GL01GT10FHI030
PNEDA編號 S29GL01GT10FHI030
描述 IC 1 GB FLASH MEMORY
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL01GT10FHI030資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL01GT10FHI030
類別半導體內存IC內存

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S29GL01GT10FHI030規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (13x11)

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Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, SDI, DTR

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-sTSOP

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

144Kb (8K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

50-TSOP II

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