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S29GL01GT11FHB020

S29GL01GT11FHB020

僅供參考

型號 S29GL01GT11FHB020
PNEDA編號 S29GL01GT11FHB020
描述 IC 1 GB FLASH MEMORY
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL01GT11FHB020資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL01GT11FHB020
類別半導體內存IC內存

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S29GL01GT11FHB020規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列*
內存類型-
內存格式-
技術-
內存大小-
內存接口-
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (13x11)

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2.25Mb (128K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3.15V ~ 3.45V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

208-LFBGA

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

-

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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