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S29GL128P90TFIR10

S29GL128P90TFIR10

僅供參考

型號 S29GL128P90TFIR10
PNEDA編號 S29GL128P90TFIR10
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 39,527
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 11 - 十一月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL128P90TFIR10資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL128P90TFIR10
類別半導體內存IC內存

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S29GL128P90TFIR10規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-P
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (16M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁90ns
訪問時間90ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT71V3558S166PF

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (16M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-TBGA

供應商設備包裝

168-BGA (13.5x13.5)

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

24-CDIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

24-CDIP

MT29F4G01ABBFD12-AAT:F TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

4Gb (4G x 1)

內存接口

SPI

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

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