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S29GL128S10TFIV13

S29GL128S10TFIV13

僅供參考

型號 S29GL128S10TFIV13
PNEDA編號 S29GL128S10TFIV13
描述 IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
制造商 Cypress Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 30 - 二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

S29GL128S10TFIV13資源

品牌 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號S29GL128S10TFIV13
類別半導體內存IC內存

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S29GL128S10TFIV13規格

制造商Cypress Semiconductor Corp
系列GL-S
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁60ns
訪問時間100ns
電壓-供電1.65V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝56-TSOP

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

6.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

60µs, 6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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